| 标准编号 |
YS/T 679-2018 |
标准名称 |
非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法 |
| 英文名称 |
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代
替 号 |
YS/T 679-2008 |
| 采用标准 |
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| 归口单位 |
全国有色金属标准化技术委员会 |
| 起草单位 |
有研半导体材料有限公司、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
分
类 号 |
H14 |
国际分类号 |
77.120.99 |
发布日期 |
2018-10-22 |
实施日期 |
2019-04-01 |
| 内容介绍 |
本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法，包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。
本标准适用于非本征半导体材料，如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试，测试样品（外延层）的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定，但已对电阻率0.1Ω·cm～50Ω·cm、载流子寿命短至2ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过测试扩散长度后计算出硅中的铁含量。
本标准也可用于测试其他半导体材料，如砷化镓样品（需同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品制备工艺）等的有效扩散长度，评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品中的有效扩散长度，还可用于测试硅片洁净区宽度，以及太阳能电池和其他光学器件的有效扩散长度。 |
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