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 现行标准检索 |
| 标准编号 |
ASTM F980M-1996(2003) |
标准名称 |
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位) |
| 英文名称 |
Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices [Metric] |
代
替 号 |
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| 采用标准 |
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| 归口单位 |
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| 起草单位 |
F01.11 |
分
类 号 |
L40 |
国际分类号 |
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发布日期 |
1996 |
实施日期 |
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| 内容介绍 |
破坏试验;中子;缺陷与故障;集成电路;辐射;导则;放射性照射;电子硬度;硬度试验;短的;辐射源;位移故障;半导体器件中感应位移故障;中子射线;脉冲中子;快速退火效果;弱点;退火;器件;电子探测器 |
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